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1、 孙国胜，男，博士，研究员，博士生导师。

2、1963年7月生，1985年和1988年毕业于兰州大学物理系并分获理学学士和理学硕士学位，1988-1990年于西安理工大学自动化与信息工程学院电子工程系（原陕西机械学院自动化工程系）任助教，1994年毕业于中国科学院半导体研究所并获理学博士学位，同年留所从事半导体致冷技术的开发工作。

3、1997-1998年在美国加州大学洛杉矶分校（UCLA）物理系做博士后研究工作。

4、主要从事第三代宽带隙SiC（碳化硅）半导体外延材料生长、特性表征、以及SiC功率半导体器件研制工作。

5、先后参加和主持国家“863”、国家重大基础研究计划项目（973项目）、国家自然科学基金委、中国科学院重点和北京市科委等项目多项。

6、近来，作为广东省创新科研团队引进项目的主要成员，与广东省企业合作承担了广东省战略性新型产业项目和东莞市重大方向性项目，开展SiC外延晶片产业化以及SiC功率半导体器件制造技术研发工作。

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